PJC7400_R1_00001, MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44709 шт., срок 7-9 недель
130 руб.
от 10 шт. —
98 руб.
от 100 шт. —
57 руб.
от 1000 шт. —
28.36 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Brand: | Panjit |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 64 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 1.9 A |
Manufacturer: | Panjit |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | SOT-323-3 |
Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 4.8 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 85 mOhms |
Rise Time: | 38 ns |
Series: | NFET-30TAMN |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 812 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 2 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
Вес, г | 47 |
Техническая документация
Datasheet PJC7400_R1_00001
pdf, 310 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.