PJC7400_R1_00001, MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJC7400_R1_00001, MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
44709 шт., срок 7-9 недель
130 руб.
от 10 шт.98 руб.
от 100 шт.57 руб.
от 1000 шт.28.36 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004576981
Артикул: PJC7400_R1_00001

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Brand: Panjit
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 64 ns
Id - Continuous Drain Current: 1.9 A
Manufacturer: Panjit
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: SOT-323-3
Pd - Power Dissipation: 350 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 4.8 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 85 mOhms
Rise Time: 38 ns
Series: NFET-30TAMN
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 812 ns
Typical Turn-On Delay Time: 2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.2 V
Вес, г 47

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.