BUL1102EFP, Bipolar Transistors - BJT High volt fast-switching NPN power transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт., срок 7-9 недель
480 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 450 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 4 A |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 12 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum DC Collector Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220FP-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | BUL1102E |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Base Product Number | BUL1102 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100ВµA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 12 @ 2A, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power - Max | 30W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 400mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 450V |
| Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 450 V |
| Maximum DC Collector Current | 8 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 12 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 70 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 2.57 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2N1711 PBFREE, Транзистор BJT NPN 50В 0.5А 3Вт [TO-39]](https://static.chipdip.ru/lib/975/DOC003975933.jpg)
![2SA1302, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-15А, Vceo=-200В, Vcbo=-200В, Pd=150Вт , hFE= 55…160 [TO-3PL]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426406.jpg)
![2SA1694Y+2SC4467Y [комплект без подбора hFE], Транзисторы, NPN/PNP, 120В, 8А, 80Вт [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/826/DOC000826540.jpg)
![2N2219A PBFREE, Транзистор NPN 75В 0.6А [TO-39]](https://static.chipdip.ru/lib/691/DOC005691789.jpg)
![2N2222A PBFREE, Транзистор NPN 50В 0.8А [TO-18]](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC005330207.jpg)
