STGW8M120DF3, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

859 шт., срок 6-8 недель

1 150 руб.

от 25 шт. — 810 руб.

от 100 шт. — 650 руб.

от 250 шт. — 576.81 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 150 руб.

Номенклатурный номер: 8004583844

Артикул: STGW8M120DF3

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss

Pd - рассеивание мощности	167 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.85 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	16 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	600
Серия	STGW8M120DF3
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	250 uA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Вес, г	6