STGWA40H65DFB, IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

570 шт., срок 7-9 недель

1 040 руб.

от 10 шт. — 810 руб.

от 25 шт. — 730 руб.

от 100 шт. — 583.58 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 040 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004583846

Артикул: STGWA40H65DFB

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.6 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	80 A
Continuous Collector Current Ic Max:	80 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	600
Gate-Emitter Leakage Current:	+/-250 nA
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	283 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Series:	STGWA40H65DFB
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	6