Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FCP130N60, MOSFET N-Channel SuperFET sup ...

FCP130N60, MOSFET N-Channel SuperFET sup /sup II MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 560 руб.

от 10 шт. — 1 270 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 560 руб.

Номенклатурный номер: 8004584501

Артикул: FCP130N60

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор SF2 600V 130MOHM F TO220

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	28 A
Pd - рассеивание мощности	278 W
Qg - заряд затвора	54 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	130 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	16 ns
Время спада	4 ns
Высота	16.3 mm
Длина	10.67 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	SuperFET II
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	26 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	800
Серия	FCP130N60
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	65 ns
Типичное время задержки при включении	25 ns
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.7 mm
Вес, г	1.8