FCP130N60, MOSFET N-Channel SuperFET sup /sup II MOSFET

FCP130N60, MOSFET N-Channel SuperFET sup   /sup  II MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 560 руб.
от 10 шт.1 270 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 560 руб.
Номенклатурный номер: 8004584501
Артикул: FCP130N60

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор SF2 600V 130MOHM F TO220

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 28 A
Pd - рассеивание мощности 278 W
Qg - заряд затвора 54 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 130 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 16 ns
Время спада 4 ns
Высота 16.3 mm
Длина 10.67 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение SuperFET II
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 26 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Серия FCP130N60
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 65 ns
Типичное время задержки при включении 25 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.7 mm
Вес, г 1.8

Техническая документация

Datasheet FCP130N60
pdf, 489 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов