DDA113TU-7-F, Digital Transistors 200MW 1K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
от 10 шт. —
84 руб.
от 100 шт. —
33 руб.
от 1000 шт. —
22.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 1K
Технические параметры
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Конфигурация | Dual |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DDA113 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 1 kOhms |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Ширина | 1.35 mm |
Вес, г | 0.006 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 404 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары