DMN10H099SFG-7, MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

DMN10H099SFG-7, MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
200 руб.
от 10 шт.170 руб.
от 100 шт.109 руб.
от 500 шт.87.88 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
Номенклатурный номер: 8004613370
Артикул: DMN10H099SFG-7
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Полевые МОП-транзисторы

Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2000
Fall Time: 7.3 ns
Id - Continuous Drain Current: 4.2 A
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: PowerDI3333-8
Pd - Power Dissipation: 980 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 25.2 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 54 mOhms
Rise Time: 5.9 ns
Series: DMN10
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: PowerDI
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 20 ns
Typical Turn-On Delay Time: 5.4 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.5 V
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet DMN10H099SFG-7
pdf, 259 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов