BC817K25E6327HTSA1, Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт. —
76 руб.
от 100 шт. —
29 руб.
от 1000 шт. —
18.91 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 700 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 500 mA |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 160 at 100 mA, 1 V |
| DC Current Gain hFE Max: | 400 at 100 mA, 1 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 42000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 170 MHz |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | BC 817K-25 E6327 SP000271875 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | BC817 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 856 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
