BC 857C E6433, Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт. —
73 руб.
от 100 шт. —
44 руб.
от 1000 шт. —
18.37 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Описание
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANS ISTOR
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности: | 330 mW |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Высота: | 1 mm |
| Длина: | 2.9 mm |
| Другие названия товара №: | SP000010660 BC857CE6433XT BC857CE6433HTMA1 |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация: | Single |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | - 100 mA |
| Минимальная рабочая температура: | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | - 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | - 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | - 250 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | - 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток: | 0.1 A |
| Подкатегория: | Transistors |
| Полярность транзистора: | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 250 MHz |
| Производитель: | Infineon |
| Размер фабричной упаковки: | 10000 |
| Серия: | BC857 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка: | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок: | SOT-23-3 |
| Ширина: | 1.3 mm |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 867 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
