BSC019N04LSATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
570 руб.
от 2 шт. —
460 руб.
от 5 шт. —
390 руб.
от 10 шт. —
361.62 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Po
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 27 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 1.9@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 40 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Supplier Package | TDSON |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 41 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 41@10VI21@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2900@20V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0015Ом |
| Power Dissipation | 78Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 78Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0015Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 95 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC019N04LS SP001067012 |
| Pd - Power Dissipation: | 78 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 57 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 mOhms |
| Rise Time: | 4 ns |
| Series: | OptiMOS 5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | OptiMOS |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 155 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Mounting Type | SMD |
| Package Type | PG-TDSON-8 |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
