IXFK64N50Q3, MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7 830 руб.

от 10 шт. — 6 190 руб.

от 25 шт. — 5 260 руб.

от 50 шт. — 4 792.25 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 830 руб.

Номенклатурный номер: 8004636809

Артикул: IXFK64N50Q3

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор Q3Class HiPerFET Pwr МОП-транзистор 500V/64A

Id - непрерывный ток утечки	64 A
Pd - рассеивание мощности	1 kW
Qg - заряд затвора	145 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	85 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	250 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HyperFET
Конфигурация	Single
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	25
Серия	IXFK64N50
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-264-3
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	64 A
Maximum Drain Source Resistance	85 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	6.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1 kW
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-264
Pin Count	3
Series	HiperFET, Q3-Class
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	145 nC @ 10 V
Width	5.13mm
Вес, г	7.5