2SCR502UBTL, Bipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver

Фото 1/4 2SCR502UBTL, Bipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9211 шт., срок 7-9 недель
91 руб.
от 10 шт.61 руб.
от 100 шт.28 руб.
от 1000 шт.16.21 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 91 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8004637779
Артикул: 2SCR502UBTL
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN Digital Transtr Driver

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № 2SCR502UB
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 500
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 0.5 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 360 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SOT-323FL-3
Collector Emitter Voltage Max 30В
Continuous Collector Current 500мА
DC Current Gain hFE Min 200hFE
DC Усиление Тока hFE 200hFE
Power Dissipation 200мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора SOT-323FL
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 360МГц
Maximum Collector Base Voltage 30 V
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V
Maximum DC Collector Current 500 mA
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 200 mW
Minimum DC Current Gain 200
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-323FL
Pin Count 3
Transistor Configuration Common Emitter
Transistor Type NPN
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1993 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1993 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.