RN2704,LF, Digital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8799 шт., срок 6-8 недель
84 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 84 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности: | 200 mW |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Квалификация: | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 80 |
| Конфигурация: | Dual |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | - 100 mA |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | - 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | - 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | - 10 V |
| Подкатегория: | Transistors |
| Полярность транзистора: | PNP |
| Производитель: | Toshiba |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Торговая марка: | Toshiba |
| Упаковка / блок: | USV-6 |
| Вес, г | 0.0062 |
Техническая документация
Datasheet RN2704.LF
pdf, 595 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
