RN2712JE(TE85L,F), Digital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3999 шт., срок 6-8 недель
120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальная рабочая частота | 200 MHz |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 22 kOhms |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | ESV-5 |
Base Product Number | TC74HC86 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 200MHz |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SOT-553 |
Power - Max | 100mW |
Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Supplier Device Package | ESV |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Вес, г | 0.003 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 274 КБ
Datasheet RN2712JE(TE85L.F)
pdf, 270 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.