RN2712JE(TE85L,F), Digital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz

RN2712JE(TE85L,F), Digital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3999 шт., срок 6-8 недель
120 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.
Номенклатурный номер: 8004639053
Артикул: RN2712JE(TE85L,F)
Бренд: Toshiba

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 100 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Канальный режим Enhancement
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 120
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальная рабочая частота 200 MHz
Максимальный постоянный ток коллектора 100 mA
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Размер фабричной упаковки 4000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 22 kOhms
Торговая марка Toshiba
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок ESV-5
Base Product Number TC74HC86 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 200MHz
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SOT-553
Power - Max 100mW
Resistor - Base (R1) 22kOhms
RoHS Status RoHS Compliant
Supplier Device Package ESV
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 0.003

Техническая документация

Datasheet
pdf, 274 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.