SSM3J15FU,LF, MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
34436 шт., срок 7-9 недель
73 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 73 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор High Speed Switching
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.9 mm |
| Длина | 2 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MOSVI |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SSM3J15 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 175 ns |
| Типичное время задержки при включении | 65 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Ширина | 1.25 mm |
| Base Product Number | TLP383 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9.1pF @ 3V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Power Dissipation (Max) | 150mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 10mA, 4V |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Series | ПЂ-MOSVI -> |
| Supplier Device Package | USM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.7V @ 100ВµA |
| Вес, г | 0.027 |
Техническая документация
Datasheet SSM3J15FU,LF
pdf, 242 КБ
Datasheet SSM3J15FU.LF
pdf, 237 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
