BUK9K18-40E,115, MOSFET BUK9K18-40E/ SOT1205/LFPAK56D
![BUK9K18-40E,115, MOSFET BUK9K18-40E/ SOT1205/LFPAK56D](https://static.chipdip.ru/lib/523/DOC006523448.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3718 шт., срок 6-8 недель
310 руб.
от 10 шт. —
240 руб.
от 100 шт. —
172 руб.
от 500 шт. —
136.30 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 310 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
BUKx Automotive MOSFETsNexperia BUKx Automotive MOSFETs offer logic level N-channel MOSFETs featuring TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high-performance automotive applications.
Технические параметры
Brand: | Nexperia |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
Manufacturer: | Nexperia |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package / Case: | LFPAK-56D-8 |
Part # Aliases: | 934067072115 |
Pd - Power Dissipation: | 38 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 14.5 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 17.1 mOhms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +15 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
Вес, г | 9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 726 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары