Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › SI1050X-T1-GE3, MOSFET 8V Vds 5V Vgs SC89-6

SI1050X-T1-GE3, MOSFET 8V Vds 5V Vgs SC89-6

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

140 руб.

от 10 шт. — 130 руб.

от 100 шт. — 84 руб.

от 500 шт. — 63.48 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.

Номенклатурный номер: 8004640985

Артикул: SI1050X-T1-GE3

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 8V Vds 5V Vgs SC89-6

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	1.34 A
Pd - рассеивание мощности	236 mW
Qg - заряд затвора	7.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	86 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	8 V
Vgs - напряжение затвор-исток	4.5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	350 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время спада	6 ns
Другие названия товара №	SI1050X-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	4.12 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI1
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	25 ns
Типичное время задержки при включении	6.8 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	SC-89-6
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single Quad Drain
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Maximum Continuous Drain Current (A)	1.34
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	86@4.5V
Maximum Drain Source Voltage (V)	8
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±5
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	9
Maximum IDSS (uA)	1
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	236
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	6
Pin Count	6
PPAP	No
Process Technology	TrenchFET
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	SC
Supplier Package	SC-89
Typical Fall Time (ns)	6
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	7.7@5V\|7.1@4.5V
Typical Gate to Drain Charge (nC)	1.69
Typical Gate to Source Charge (nC)	1.14
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	585@4V
Typical Output Capacitance (pF)	190
Typical Reverse Recovery Charge (nC)	3.7
Typical Rise Time (ns)	35
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	25
Typical Turn-On Delay Time (ns)	6.8
Вес, г	0.032