2SC4135S-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

280 руб.

от 10 шт. — 230 руб.

от 100 шт. — 153 руб.

от 700 шт. — 115.20 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 280 руб.

Номенклатурный номер: 8004651323

Артикул: 2SC4135S-TL-E

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 100V

Pd - рассеивание мощности	1 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	2 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	700
Серия	2SC4135
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-252-3
Maximum Collector Base Voltage	120 V
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum DC Collector Current	2 A
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Frequency	390 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	15 W
Minimum DC Current Gain	140, 200
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TP-FA
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	1.8