Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › TOREX › XP231P02013R-G, MOSFET N-CHANNEL -30V -0.2A

XP231P02013R-G, MOSFET N-CHANNEL -30V -0.2A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5405 шт., срок 6-8 недель

110 руб.

от 10 шт. — 71 руб.

от 100 шт. — 38 руб.

от 1000 шт. — 20.30 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004652719

Артикул: XP231P02013R-G

Бренд: TOREX Semiconductor LTD

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

XP2x-G MOSFETs

Torex Semiconductor XP2x-G MOSFETs are general-purpose MOSFETs with low on-resistance and high-speed switching. These MOSFETs include a built-in gate protection diode for static protection. The XP2x-G MOSFETs operate at 150°C junction temperature and stored at -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are environmentally-friendly products that comply with the EU RoHS directive and are lead-free. The XP2x-G MOSFETs are available in space-saving compact SOT-323 packages. These MOSFETs are ideal for use in various applications such as relay circuits and switching circuits.

Технические параметры

Brand:	Torex Semiconductor
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	45 ns
Id - Continuous Drain Current:	200 mA
Manufacturer:	Torex Semiconductor
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	SOT-323-3A
Pd - Power Dissipation:	350 mW
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance:	5 Ohms
Rise Time:	20 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	P-Channel
Transistor Type:	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	80 ns
Typical Turn-On Delay Time:	18 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-8 V, +8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	500 mV
Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	3.2Ом
Power Dissipation	350мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	XP231P0201xx-G
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	4.5В
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	200мА
Полярность Транзистора	P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	800мВ
Рассеиваемая Мощность	350мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	3.2Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-323-3A
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.01