BC817-40W_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURP OSETRANSISTORS VCE45V IC500mA SOT-323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5007 шт., срок 6-8 недель
54 руб.
от 10 шт. —
37 руб.
от 100 шт. —
17 руб.
от 1000 шт. —
11.31 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 54 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 700 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 500 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 250 |
| DC Current Gain hFE Max: | 600 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Manufacturer: | Panjit |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-323-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | GPT-03TAN |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet BC817-40W_R1_00001
pdf, 187 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
