FDB0165N807L, MOSFET 150V 7L JEDEC GREEN EMC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 220 руб.
от 10 шт. —
1 810 руб.
от 25 шт. —
1 640 руб.
от 100 шт. —
1 408.28 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 220 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
N-Channel PowerTrench® MOSFETsonsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are produced using onsemi's advanced PowerTrench process that has been specially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are available in a variety of Drain to Source Voltage specifications, from 30V to 250V.
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
Fall Time: | 64 ns |
Forward Transconductance - Min: | 136 S |
Id - Continuous Drain Current: | 310 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-263-7 |
Pd - Power Dissipation: | 300 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 217 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.7 mOhms |
Rise Time: | 104 ns |
Series: | FDB0165N807L |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | PowerTrench |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 123 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 68 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Вес, кг | 8.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 371 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары