FDB0165N807L, MOSFET 150V 7L JEDEC GREEN EMC

FDB0165N807L, MOSFET 150V 7L JEDEC GREEN EMC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 220 руб.
от 10 шт.1 810 руб.
от 25 шт.1 640 руб.
от 100 шт.1 408.28 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 220 руб.
Номенклатурный номер: 8004673847
Артикул: FDB0165N807L

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
N-Channel PowerTrench® MOSFETs
onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are produced using onsemi's advanced PowerTrench process that has been specially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are available in a variety of Drain to Source Voltage specifications, from 30V to 250V.

Технические параметры

Brand: onsemi/Fairchild
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 800
Fall Time: 64 ns
Forward Transconductance - Min: 136 S
Id - Continuous Drain Current: 310 A
Manufacturer: onsemi
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TO-263-7
Pd - Power Dissipation: 300 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 217 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 2.7 mOhms
Rise Time: 104 ns
Series: FDB0165N807L
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: PowerTrench
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 123 ns
Typical Turn-On Delay Time: 68 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 80 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Вес, кг 8.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 371 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов