FGH60N60SMD, IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2

Фото 1/9 FGH60N60SMD, IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 860 руб.
от 25 шт.1 400 руб.
от 100 шт.1 120 руб.
от 450 шт.926.72 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 860 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004673933
Артикул: FGH60N60SMD

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 60А, 300Вт, TO247-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Brand: onsemi/Fairchild
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.9 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 120 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 30
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Manufacturer: onsemi
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-247
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 600 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
REACH - SVHC: Details
Series: FGH60N60SMD
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Base Part Number FGH60N60
Current - Collector (Ic) (Max) 120A
Current - Collector Pulsed (Icm) 180A
Gate Charge 189nC
IGBT Type Field Stop
Input Type Standard
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Part Status Active
Power - Max 600W
Reverse Recovery Time (trr) 39ns
Series -
Supplier Device Package TO-247-3
Switching Energy 1.26mJ(on), 450ВµJ(off)
Td (on/off) @ 25В°C 18ns/104ns
Test Condition 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 120 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 600 W
Minimum Operating Temperature -55 °C
Package Type TO-247AB
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Тип IGBT транзистор 600В, 120А
Упаковка TUBE, 30 шт.
Case TO247-3
Collector current 60A
Collector-emitter voltage 600V
Features of semiconductor devices integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage ±20V
Kind of package tube
Mounting THT
Power dissipation 300W
Pulsed collector current 180A
Type of transistor IGBT
Вес, г 6.39

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 648 КБ
Datasheet
pdf, 482 КБ
Datasheet
pdf, 676 КБ
FGH60N60SMD
pdf, 391 КБ
FGH60N60SMD_D
pdf, 483 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов