FQPF6N80C, MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
550 руб.
от 10 шт. —
430 руб.
от 100 шт. —
333 руб.
от 500 шт. —
262.74 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 550 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,2А, 51Вт, TO220FP Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 5.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 51 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 65 ns |
Время спада | 44 ns |
Высота | 16.07 mm |
Длина | 10.36 mm |
Другие названия товара № | FQPF6N80C_NL |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | QFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.4 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FQPF6N80C |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 47 ns |
Типичное время задержки при включении | 26 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Ширина | 4.9 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 5.5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 51 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220F |
Pin Count | 3 |
Series | QFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
Width | 4.7mm |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов