2N4058 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo PNP Low Noise 30Vceo 625mW 200mA

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3966 шт., срок 7-9 недель

150 руб.

от 10 шт. — 140 руб.

от 100 шт. — 100 руб.

от 500 шт. — 91.03 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 150 руб.

Номенклатурный номер: 8004700446

Артикул: 2N4058 PBFREE

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO:	30 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	700 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	200 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min:	100
DC Current Gain hFE Max:	400
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Manufacturer:	Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current:	200 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-92
Packaging:	Bulk
Pd - Power Dissipation:	625 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Transistor Polarity:	PNP
Вес, г	0.217