FP15R06W1E3, IGBT Modules N-CH 600V 22A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 600 руб.
от 10 шт. —
9 030 руб.
от 24 шт. —
7 550 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 600 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 22A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 81 W |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Высота | 12 mm |
| Длина | 62.8 mm |
| Другие названия товара № | FP15R06W1E3BOMA1 SP000092046 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Конфигурация | Array 7 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 22 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 24 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | EASY1B |
| Ширина | 33.8 mm |
| Вес, г | 24 |
Техническая документация
Datasheet FP15R06W1E3
pdf, 885 КБ
