Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Ixys › IXFP7N80P, MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds

IXFP7N80P, MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 500 руб.

от 10 шт. — 1 270 руб.

от 50 шт. — 995 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 500 руб.

Номенклатурный номер: 8004724450

Артикул: IXFP7N80P

Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 800В, 7А, 200Вт, TO220AB Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	7 A
Pd - рассеивание мощности	200 W
Qg - заряд затвора	32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.44 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	32 ns
Время спада	24 ns
Высота	16 mm
Длина	10.66 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	Polar, HiperFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	5 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IXFP7N80
Технология	Si
Тип	Polar HiPerFET Power MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	55 ns
Типичное время задержки при включении	28 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.83 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	7 A
Maximum Drain Source Resistance	1.44 Ω
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	200 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Series	HiperFET, Polar
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	32 nC @ 10 V
Width	4.83mm
Вес, г	9