HN1C01FYTE85LF, Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9229 шт., срок 7-9 недель

76 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 76 руб.

Номенклатурный номер: 8004726761

Артикул: HN1C01FYTE85LF

Бренд: Toshiba

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A

Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400
Максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	150 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	80 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	HN1C01
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-26-6
Вес, г	0.03