RN1910FE,LF(CT, Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5535 шт., срок 7-9 недель
76 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 76 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
Встроенные транзисторы с резистором смещения (BRT)Встроенные транзисторы с резистором смещения (BRT) Toshiba предлагают широкий диапазон вариантов полярности. Транзисторы резистора смещения доступны с полярностью NPN, PNP, NPN PNP, PNP NPN, NPN x 2 и PNP x 2. Встроенные транзисторы резистора смещения предлагают 3-контактные, 5-контактные и 6-контактные конфигурации с вариантами одиночного, 2-в-1 (точечно-симметричного) и 2-в-1 (с общим эмиттером) внутренних соединений. .
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Continuous Collector Current: | 100 mA |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 120 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
Manufacturer: | Toshiba |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | SOT-563 |
Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Series: | RN1910 |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Typical Input Resistor: | 4.7 kOhms |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Frequency - Transition | 250MHz |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power - Max | 100mW |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
Series | - |
Supplier Device Package | ES6 |
Transistor Type | 2 NPN-Pre-Biased(Dual) |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 374 КБ
Документация
pdf, 256 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары