Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Toshiba › TK040N65Z,S1F, MOSFET Power MOSFET 57A 360W 650V

TK040N65Z,S1F, MOSFET Power MOSFET 57A 360W 650V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1597 шт., срок 6-8 недель

2 820 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 820 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004726882

Артикул: TK040N65Z,S1F

Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзисторы DTMOSVI

МОП-транзисторы Toshiba серии DTMOSVI обладают низким сопротивлением сток-исток в открытом состоянии (R DS(ON) = 0,033 Ом (тип.)). Эти устройства имеют напряжение сток-исток 650В при токе стока 57А. МОП-транзисторы серии DTMOSVI обеспечивают высокую скорость переключения при меньшей емкости. Эти МОП-транзисторы идеально подходят для использования в импульсных источниках питания.

Технические параметры

Brand:	Toshiba
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	30
Fall Time:	5 ns
Id - Continuous Drain Current:	57 A
Manufacturer:	Toshiba
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	360 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	105 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	40 mOhms
Rise Time:	65 ns
Series:	TK040N65Z
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	DTMOSVI
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	170 ns
Typical Turn-On Delay Time:	120 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	6