BUJ302AX,127, Bipolar Transistors - BJT NPN 400 V 4 A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2066 шт., срок 7-9 недель

260 руб.

от 10 шт. — 210 руб.

от 100 шт. — 140 руб.

от 500 шт. — 105.60 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.

Номенклатурный номер: 8004727491

Артикул: BUJ302AX,127

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	WeEn Semiconductors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	600 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	4 A
DC Collector/Base Gain hfe Min:	25
DC Current Gain hFE Max:	100
Emitter- Base Voltage VEBO:	19 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Manufacturer:	WeEn Semiconductors
Maximum DC Collector Current:	4 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-220F-3
Part # Aliases:	934064984127
Pd - Power Dissipation:	26 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	2.09