BUK9Y09-40B,115, MOSFET BUK9Y09-40B/SOT669/LFPAK
![BUK9Y09-40B,115, MOSFET BUK9Y09-40B/SOT669/LFPAK](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517485.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6427 шт., срок 6-8 недель
370 руб.
от 10 шт. —
290 руб.
от 100 шт. —
207 руб.
от 500 шт. —
164.04 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Automotive MOSFETsNexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.
Технические параметры
Brand: | Nexperia |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
Id - Continuous Drain Current: | 75 A |
Manufacturer: | Nexperia |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-669-5 |
Part # Aliases: | 934063313115 |
Pd - Power Dissipation: | 105.3 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 30 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 9 mOhms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +15 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.15 V |
Вес, г | 0.0801 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 747 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары