Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › SI3499DV-T1-GE3, MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm ...

SI3499DV-T1-GE3, MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

230 руб.

от 10 шт. — 180 руб.

от 100 шт. — 144 руб.

от 500 шт. — 114.88 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 230 руб.

Номенклатурный номер: 8004728688

Артикул: SI3499DV-T1-GE3

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V

Технические параметры

Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.1 mm
Длина	3.05 mm
Другие названия товара №	SI3499DV-GE3
Категория продукта	МОП-транзистор
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI3
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	TSOP-6
Ширина	1.65 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	3.9 A
Maximum Drain Source Resistance	48 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	8 V
Maximum Gate Source Voltage	-5 V, +5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.1 W
Minimum Gate Threshold Voltage	0.35V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TSOP-6
Pin Count	6
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	28 nC @ 4.5 V
Width	1.7mm
Automotive	No
Configuration	Single Quad Drain
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)	5.3
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	23@4.5V
Maximum Drain Source Voltage (V)	8
Maximum Gate Source Voltage (V)	±5
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	1100
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Packaging	Tape and Reel
Part Status	NRND
PCB changed	6
PPAP	No
Process Technology	TrenchFET
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	SO
Supplier Package	TSOP
Typical Fall Time (ns)	110
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	28@4.5V
Typical Rise Time (ns)	65
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	210
Typical Turn-On Delay Time (ns)	27
Вес, г	0.02