SI7461DP-T1-E3, MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Фото 1/2 SI7461DP-T1-E3, MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
680 руб.
от 10 шт.530 руб.
от 100 шт.399 руб.
от 500 шт.294.58 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 680 руб.
Номенклатурный номер: 8004728714
Артикул: SI7461DP-T1-E3

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Brand: Vishay Semiconductors
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 90 ns
Forward Transconductance - Min: 31 S
Id - Continuous Drain Current: 14.4 A
Manufacturer: Vishay
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: PowerPAK-SO-8
Part # Aliases: SI7461DP-E3
Pd - Power Dissipation: 5.4 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 121 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 14.5 mOhms
Rise Time: 20 ns
Series: SI7
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: TrenchFET
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 205 ns
Typical Turn-On Delay Time: 20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
Вес, г 0.51

Техническая документация

Datasheet
pdf, 374 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов