SI1442DH-T1-GE3, MOSFET 12V Vds 8V Vgs SC70-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
93 руб.
от 10 шт. —
71 руб.
от 100 шт. —
38 руб.
от 1000 шт. —
27.84 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 93 руб.
Описание
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 12V Vds 8V Vgs SC70-6
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки: | 4 A |
Pd - рассеивание мощности: | 1.56 W |
Qg - заряд затвора: | 33 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 20 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 12 V |
Vgs - напряжение затвор-исток: | 8 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1 V |
Вид монтажа: | SMD/SMT |
Время нарастания: | 13 ns |
Время спада: | 9 ns |
Другие названия товара №: | SI1442DH-T1-BE3 SI1442DH-GE3 |
Канальный режим: | Enhancement |
Категория продукта: | МОП-транзистор |
Количество каналов: | 1 Channel |
Коммерческое обозначение: | TrenchFET |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
Подкатегория: | MOSFETs |
Полярность транзистора: | N-Channel |
Производитель: | Vishay |
Размер фабричной упаковки: | 3000 |
Серия: | SI1 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | MOSFET |
Тип транзистора: | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения: | 22 ns |
Типичное время задержки при включении: | 8 ns |
Торговая марка: | Vishay Semiconductors |
Упаковка / блок: | SOT-363-6 |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.017Ом |
Power Dissipation | 2.8Вт |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Линейка Продукции | Trench |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 12В |
Непрерывный Ток Стока | 4А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 400мВ |
Рассеиваемая Мощность | 2.8Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.017Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SC-70 |
Вес, г | 0.0075 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары