SI2302-TP, MOSFET N-CH 20V 3A 8.5S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт. —
92 руб.
от 100 шт. —
39 руб.
от 1000 шт. —
28.58 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
N-Channel MOSFETSMicro Commercial Components (MCC) N-Channel Medium Power and Small Signal MOSFETs have a low on-Resistance (RDS) range of 0.012Ω to 8.0Ω, and a high voltage version up to 800V. These rugged and reliable MOSFETs are available in a wide range of surface-mount packages, including SOT, DFN, SOP, and Dpak. MCC N-Channel MOSFETs The N-Channel Medium Power and Small Signal MOSFETs have an operating temperature range from -55°C to +150°C or +175°C.
Технические параметры
Brand: | Micro Commercial Components(MCC) |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Forward Transconductance - Min: | 8.5 S |
Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
Manufacturer: | Micro Commercial Components(MCC) |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 10 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 110 mOhms |
Series: | N-Ch Polarity |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 650 mV |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 492 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов