SI2302-TP, MOSFET N-CH 20V 3A 8.5S

SI2302-TP, MOSFET N-CH 20V 3A 8.5S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт.92 руб.
от 100 шт.39 руб.
от 1000 шт.28.58 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Номенклатурный номер: 8004736446
Артикул: SI2302-TP

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
N-Channel MOSFETS

Micro Commercial Components (MCC) N-Channel Medium Power and Small Signal MOSFETs have a low on-Resistance (RDS) range of 0.012Ω to 8.0Ω, and a high voltage version up to 800V. These rugged and reliable MOSFETs are available in a wide range of surface-mount packages, including SOT, DFN, SOP, and Dpak. MCC N-Channel MOSFETs The N-Channel Medium Power and Small Signal MOSFETs have an operating temperature range from -55°C to +150°C or +175°C.

Технические параметры

Brand: Micro Commercial Components(MCC)
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Forward Transconductance - Min: 8.5 S
Id - Continuous Drain Current: 3 A
Manufacturer: Micro Commercial Components(MCC)
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 1.25 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 10 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 110 mOhms
Series: N-Ch Polarity
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -8 V, +8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 650 mV
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 492 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов