IRF840STRRPBF, MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA

IRF840STRRPBF, MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
850 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 850 руб.
Номенклатурный номер: 8004737081
Артикул: IRF840STRRPBF

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 500V N-CH HEXFET D2-PA

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 8 A
Pd - рассеивание мощности 3.1 W
Qg - заряд затвора 63 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 850 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Серия IRF
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка / блок TO-263-3
Вес, г 1.438

Техническая документация

Datasheet IRF840STRRPBF
pdf, 178 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов