IRF840STRRPBF, MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
850 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 850 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 500V N-CH HEXFET D2-PA
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
Qg - заряд затвора | 63 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 850 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 800 |
Серия | IRF |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Вес, г | 1.438 |
Техническая документация
Datasheet IRF840STRRPBF
pdf, 178 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов