IRFI630GPBF, MOSFET 200V N-CH HEXFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
670 руб.
от 10 шт. —
540 руб.
от 100 шт. —
433 руб.
от 250 шт. —
391.58 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 670 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 3,7А, 35Вт, TO220FP Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.49 mm |
| Длина | 10.41 mm |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRFI |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IRFI630GPBF
pdf, 1548 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
