2N5190G, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

250 руб.

от 10 шт. — 200 руб.

от 100 шт. — 147 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.

Номенклатурный номер: 8004738232

Артикул: 2N5190G

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Brand:	onsemi
Collector- Base Voltage VCBO:	40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.4 V
Configuration:	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min:	25
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	500
Gain Bandwidth Product fT:	2 MHz
Manufacturer:	onsemi
Maximum DC Collector Current:	4 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-225-3
Packaging:	Bulk
Pd - Power Dissipation:	40 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	2N5190
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Collector Emitter Voltage Max	40В
Continuous Collector Current	4А
DC Current Gain hFE Min	10hFE
DC Усиление Тока hFE	10hFE
Power Dissipation	40Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Through Hole
Полярность Транзистора	NPN
Стиль Корпуса Транзистора	TO-225
Частота Перехода ft	2МГц
Вес, г	0.68