Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › 2SA2124-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP ...

2SA2124-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 30V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

110 руб.

от 10 шт. — 95 руб.

от 100 шт. — 71 руб.

от 500 шт. — 54.29 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.

Номенклатурный номер: 8004738241

Артикул: 2SA2124-TD-E

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 30V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	3.5 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200 at - 100 mA, - 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560 at - 100 mA, - 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	440 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	2SA2124
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-89-3
Maximum Collector Base Voltage	-30 V
Maximum Collector Emitter Voltage	30 V
Maximum DC Collector Current	2 A
Maximum Emitter Base Voltage	-6 V
Maximum Operating Frequency	440 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	3.5 W
Minimum DC Current Gain	200
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	PCP
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Вес, г	0.0514