IFN147, JFET JFET N-Channel -40V Low Noise
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 шт., срок 7-9 недель
5 300 руб.
от 10 шт. —
4 440 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 300 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Технические параметры
| Brand: | InterFET |
| Configuration: | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0: | 30 mA |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Forward Transconductance - Min: | 40 mS |
| Gate-Source Cutoff Voltage: | -1.2 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 uA |
| Manufacturer: | InterFET |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-18-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Series: | IFN14 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | JFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 10 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -40 V |
| Вес, г | 0.47 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 316 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
