J177, JFET JFET P-Channel 30V Low Noise
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 шт., срок 7-9 недель
1 730 руб.
от 10 шт. —
1 430 руб.
от 25 шт. —
1 310 руб.
от 100 шт. —
1 045.83 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 730 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Технические параметры
| Brand: | InterFET |
| Configuration: | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0: | -20 mA |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Gate-Source Cutoff Voltage: | 2.25 V |
| Id - Continuous Drain Current: | -10 nA |
| Manufacturer: | InterFET |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 250 Ohms |
| Series: | J177 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Type: | JFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | -15 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 294 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
