PJA3439_R1_00001, MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3439_R1_00001, MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3916 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
от 10 шт.79 руб.
от 100 шт.31 руб.
от 1000 шт.21.61 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.
Номенклатурный номер: 8004772551
Артикул: PJA3439_R1_00001

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (R DS(ON) ) and maintain superior switching performance. These devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. These MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers.

Технические параметры

Brand: Panjit
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 32 ns
Id - Continuous Drain Current: 300 mA
Manufacturer: Panjit
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 500 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 1.1 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 13 Ohms
Rise Time: 19 ns
Series: NFET-60TMP
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 52 ns
Typical Turn-On Delay Time: 4.8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
Вес, г 0.01

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.