PJA3439-AU_R1_000A1, MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3439-AU_R1_000A1, MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7098 шт., срок 7-9 недель
130 руб.
от 10 шт.93 руб.
от 100 шт.50 руб.
от 1000 шт.23.77 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Номенклатурный номер: 8004772552
Артикул: PJA3439-AU_R1_000A1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
PJA3439-AU P-Ch Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJA3439-AU P-Ch Enhancement Mode MOSFETs are 60V and specially designed for relay drivers and speed line drives. The PANJIT PJA3439-AU MOSFETs are AEC-Q101 qualified and use an advanced trench process technology. The PJA3439-AU P-Ch Enhancement Mode MOSFETs have a -300mA continuous drain current and is available in a SOT-23 package.

Технические параметры

Brand: Panjit
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 32 ns
Id - Continuous Drain Current: 300 mA
Manufacturer: Panjit
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 500 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 1.1 nC
Qualification: AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance: 13 Ohms
Rise Time: 19 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 52 ns
Typical Turn-On Delay Time: 4.8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
Вес, г 4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 261 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.