PJE8406_R1_00001, MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

43770 шт., срок 7-9 недель

130 руб.

от 10 шт. — 92 руб.

от 100 шт. — 36 руб.

от 1000 шт. — 21.34 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.

Номенклатурный номер: 8004772560

Артикул: PJE8406_R1_00001

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Brand:	Panjit
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	4000
Fall Time:	25 ns
Id - Continuous Drain Current:	800 mA
Manufacturer:	Panjit
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	SOT-523-3
Pd - Power Dissipation:	350 mW
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	920 pC
Rds On - Drain-Source Resistance:	700 mOhms
Rise Time:	20 ns
Series:	NFET-20TBMN
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	12 ns
Typical Turn-On Delay Time:	4 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	20 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1 V
Вес, г	56

pdf, 340 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем