PJT138K_R1_00001, MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
91713 шт., срок 6-8 недель
87 руб.
от 10 шт. —
59 руб.
от 100 шт. —
36 руб.
от 1000 шт. —
15.44 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 87 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 360 mA |
| Manufacturer: | Panjit |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 236 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 630 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms |
| Rise Time: | 19.2 ns |
| Series: | NFET-50TSMN |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6.2 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 50 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 386 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
