MSC015SMA070S, MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-268
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 230 руб.
от 30 шт. —
7 960 руб.
от 120 шт. —
6 930 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 230 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор UNRLS, FG, SIC МОП-транзистор, TO-268
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 126 A |
| Pd - рассеивание мощности | 370 W |
| Qg - заряд затвора | 215 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 19 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 23 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.9 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Технология | SiC |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Microchip / Microsemi |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | D3PAK-3 |
| Вес, г | 37 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 3715 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
