Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › 2ST31A

2ST31A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

267 шт. со склада г.Москва, срок 7-10 дней

280 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 210 руб.

от 10 шт. — 181 руб.

от 50 шт. — 160 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 560 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8002016358

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент

TRANSISTOR, NPN, 60V, 3A, TO-220AB; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:25hFE; Transistor Cas

Технические параметры

Brand	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.2 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	3 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	150
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	1000
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current	5 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	40 W
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	500V Transistors
Transistor Polarity	NPN
EU RoHS	Compliant with Exemption
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.21.00.95
PCB changed	3
Package Height	9.15(Max)
Mounting	Through Hole
Lead Shape	Through Hole
Tab	Tab
Package Width	4.6(Max)
Package Length	10.4(Max)
Type	NPN
Number of Elements per Chip	1
Maximum Collector Base Voltage (V)	60
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	60
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)	1.45@375mA@3A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	1.2@375mA@3A
Maximum DC Collector Current (A)	3
Minimum DC Current Gain	25@1A@4V\|100@20mA@4V
Maximum Power Dissipation (mW)	40000
Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Automotive	No
Supplier Package	TO-220AB
Pin Count	3
Standard Package Name	TO-220
Military	No
Pd - рассеивание мощности	40 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	150
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	3 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	2ST31A
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Base Product Number	2ST31 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
Current - Collector Cutoff (Max)	300ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 20mA, 4V
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package	Tube
Power - Max	40W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-220AB
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Collector Emitter Voltage Max	60В
DC Current Gain hFE Min	25hFE
DC Усиление Тока hFE	25hFE
Power Dissipation	40Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	2.3