BD678, Darlington Transistors DARLINGTON TRAN

Фото 1/5 BD678, Darlington Transistors DARLINGTON TRAN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1615 шт., срок 6-8 недель
210 руб.
от 10 шт.170 руб.
от 100 шт.117 руб.
от 500 шт.95.70 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 210 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004825017
Артикул: BD678
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Darlington Transistors
Описание Биполярный транзистор BD678 от STMicroelectronics представляет собой высококачественный компонент, предназначенный для использования в различных электронных устройствах. Этот транзистор выполнен в корпусе TO126, обеспечивая удобство монтажа типа THT. Особенностью модели является тип PNP|Дарлингтон, что делает её идеальным выбором для усилительных и переключающих применений. С током коллектора в 4 А и напряжением коллектор-эмиттер в 60 В, а также с мощностью в 40 Вт, BD678 гарантирует высокую производительность в широком диапазоне областей применения. Воспользуйтесь преимуществами BD678 для повышения эффективности ваших электронных проектов. Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP, Дарлингтон
Монтаж THT
Ток коллектора, А 4
Напряжение коллектор-эмиттер, В 60
Мощность, Вт 40
Корпус TO126

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Configuration: Single
DC Collector/Base Gain hfe Min: 750
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2000
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Collector Cut-off Current: 200 uA
Maximum DC Collector Current: 4 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-32
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 40 W
Product Category: Darlington Transistors
Product Type: Darlington Transistors
Series: BD678
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: PNP
кол-во в упаковке 50
Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
Lead Shape Through Hole
Maximum Collector Base Voltage (V) 60
Maximum Collector Cut-Off Current (uA) 200
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 2.5@30mA@1.5A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 60
Maximum Continuous DC Collector Current (A) 4
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 40000
Minimum DC Current Gain 750@1.5A@3V
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Mounting Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tube
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Standard Package Name TO
Supplier Package SOT-32
Supplier Temperature Grade Industrial
Tab Tab
Type PNP
Brand STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
DC Collector/Base Gain hfe Min 750
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 2000
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Collector Cut-off Current 200 uA
Maximum DC Collector Current 4 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-32
Power Dissipation 40 W
Product Category Darlington Transistors
RoHS Details
Series Darlingtons
Transistor Polarity PNP
Вес, г 4.08

Техническая документация

BD678 DATASHEET
pdf, 254 КБ
Datasheet
pdf, 377 КБ
Datasheet
pdf, 367 КБ
Datasheet
pdf, 371 КБ
BD6xxx
pdf, 379 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.