Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › BUL138, Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt ...

BUL138, Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13 шт., срок 6-8 недель

440 руб.

от 10 шт. — 330 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 440 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004825148

Артикул: BUL138

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	80 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	9.15 mm
Длина	10.4 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	8
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	40
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	5 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	800 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	400 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	9 V
Непрерывный коллекторный ток	5 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	BUL138
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.6 mm
Maximum Collector Base Voltage	800 V
Maximum Collector Emitter Voltage	400 V
Maximum DC Collector Current	5 A
Maximum Emitter Base Voltage	9 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	80 W
Minimum DC Current Gain	8
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	6