MJD44H11T4, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

22680 шт., срок 7-9 недель

240 руб.

от 10 шт. — 190 руб.

от 100 шт. — 129 руб.

от 500 шт. — 97.25 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 240 руб.

Альтернативные предложения4

Посмотреть аналоги6

Номенклатурный номер: 8004826871

Артикул: MJD44H11T4

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 8А, 20Вт, DPAK Характеристики

Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	8 A
DC Collector/Base Gain hfe Min:	60
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current:	8 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	TO-252-3
Pd - Power Dissipation:	20 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	MJD44H11
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
RoHS Compliant	Yes
Collector Emitter Voltage Max	80В
Continuous Collector Current	8А
DC Current Gain hFE Min	60hFE
DC Усиление Тока hFE	60hFE
Power Dissipation	20Вт
Квалификация	-
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	-
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	NPN
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	-
Вес, г	1.8